gan hemt原理
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增強型GaN HEMT的汲極電流特性
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基於氮化鎵(GaN)的增強型高電子遷移率電晶體(HEMT)可以採用兩種不同的結構開發出來。這兩種增強型結構是金屬-絕緣層- ...
甚麽是氮化鎵？氮化鎵（GaN）半導體詳解
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高電子遷移率電晶體（HEMT）使用二維電子氣（2DEG），由不同能隙的兩種材料之間的結點構成。與等效矽基解決方案相比，氮化鎵基HEMT的開關更快、熱導率更高和導通電阻更低 ...
氮化鎵(GaN)功率元件技術
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氮化鎵(GaN)是一種自然會產生電極化(自發極化)的結晶，在施加壓力於結晶後會產生新的電極(偏極)的壓電材料，氮化鋁鎵(AlGaN)和氮化鎵(GaN)在自發極化時會 ...
什麽是GaN HEMT？綜合指南和產品選型
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GaN HEMT具有非常高的電子遷移率，無論是在開關速度、耐高溫和功率處理能力方面都表現卓越。這些獨特的屬性可提高效率、顯著縮小尺寸、降低重量、提高成本效益和增强熱性能 ...
國立臺灣大學電機資訊學院光電工程學研究所碩士論文氮化 ...
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第2 章首先介紹AlGaN/GaN MOS-HEMT 的工作原理，接著介紹晶格面蝕刻. 法、金屬接觸原理、光致電化學氧化法理論以及原子層沉積(ALD)機台介紹，最後. 是電性量測架構。 第3 ...
高功率氮化鎵異質結構場效電晶體之設計與製作
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AlGaN/GaN HEMT 一個很大的優點就是它在異質界面下形成的二維電子. 氣，由於二維電子氣使得元件能有很高的電子移動率，進而有效的大幅地降低導. 通電阻與提高電流值，這 ...
GaN HEMT结构原创
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GaN HEMT的工作原理是：当栅极电压变化时，会在GaN沟道层形成一个电子气，这个电子气会随着栅极电压的变化而移动，形成一个电流。由于GaN材料的高电子迁移 ...
利用HEMT 和PHEMT 改善無線通訊電路中的增益、速度和雜訊
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HEMTs 的應用 ... 得益於氮化鎵/氮化鋁（GaN/AlGaN） HEMTs 的進展，HEMT 元件可以用於高電壓、高電流和低導通電阻電路。 與基於矽和砷化鎵的元件相比，基於氮化鎵的HEMT ...
AlGaN GaN HEMT元件特性分析
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本文所討論的HEMT一開始包括其發展與演進，分析氮化鎵優點及特性，其中包含了異質結構接面和極化效應，再來介紹HEMT動作原理，利用二維電子氣形成通道，使電子能夠以高遷移 ...
運用GaN 場效電晶體達到高效、更高電壓切換式電源應用的 ...
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瞭解GaN FET 的原理和正確應用，藉此提高高電壓切換式電源系統的電源效率和功率密度。